Türkiyənin İstanbul şəhərində 7-ci Beynəlxalq LED və LED işıqlandırma konfransı keçirilib. Bu ayın 1-4 tarixlərində düzənlənən tədbirdə Rabitə və Yüksək Texnologiyalar Nazirliyinin nəzdində fəaliyyət göstərən Yüksək Texnologiyalar üzrə Tədqiqat Mərkəzinin əməkdaşı Rasim Cabbarov iştirak edib.
Konfransda LED çip texnologiyası və tətbiqləri mövzusunda plenar iclasda məruzə ilə çıxış edən R.Cabbarov tədbir iştirakçılarının diqqətini daxili kvant effektivliyinin azalmasına yönəldib.
O bildirib ki, “InGaN” kvant çuxurlu LED –lərin dalğa uzunluğu yaşıl oblasta tərəf sürüşdükcə onların daxili kvant effektivliyi azalır və bu da hazırkı araşdırmaların aktual problemi olaraq (“yaşıl zona problemi” ) intensiv tədqiq olunur. Bu problemin iki əsas səbəb nəticəsində yarandığını önə çəkən R.Cabbarovun sözlərinə görə, onlardan biri uzun dalğa oblastlı “InGaN” kvant çuxurunda indium atomlarının miqdarı artdıqca qəfəs parametrlərinin uyğunsuzluğunun artmasıdır. Bu da öz növbəsində deffektlərin sıxlığını artırır və şüalanmasız keçidləri sürətləndirir. Digər ikinci səbəb isə qəfəs parametrlərinin uyğunsuzluğunun kvant çuxurunun deformasiyasına gətirib çıxarmasıdır.
R.Cabbarov qeyd edib ki, “GaN”, “InN”, “AlN” birləşmələrində N – atomları güclü pyozeelektrik olduqlarından daxili elektrik sahəsi yaradır. Bu da elektron və deşiklərin dalğa funksiyalarının kəsişməsini azaldır. O üzdən rekombinasiya şüalanma sürəti azalır ki, bu da yaşıl oblastda daxili kvant effektivliyinin artmasına imkan vermir. Alimlərin bu istiqamətdə qarşılaşdığı problemlərdən çıxış yollarını açıqlayan R.Cabbarov hesab edir ki, çıxış yolu kimi (11-22) istiqamətində yarımpolyar “InGaN/GaN” və “InGaN/InGaN” kvant çuxurlu LED strukturları yetişdirilir və tədqiq olunur:
“Bu da bizə sadaladığımız problemləri aradan qaldırmağa imkan verir. Alınan strukturda TEM analizləri aparılmışdır”.
Yüksək Texnologiyalar üzrə Tədqiqat Mərkəzinin əməkdaşı daha sonra əlavə edib ki, epitaksial təbəqələr optik litoqrafiya, quru aşılama, dielektrik maska texnologiyalarının vasitəsilə hazırlandıqdan sonra aşağı təzyiqli MOCVD reaktorunda yetişdirilərək yarımpolyar LED strukturu şəklini alır. Onun sözlərinə görə, alınan LED strukturunun daxili kvant effektivliyi, PL, EL xassələri tədqiq olunub.
Qeyd edək ki, bu konfrans hər il İstanbulda düzənlənir və əməkdaşlar hər il məruzə ilə çıxış edirlər.
Ümumiyyətlə, konfrans LED çip və LED aydınlatmasını tam əhatə edir və beynəlxalq sərgi ilə nümayiş olunur (www.ledkonferansi.com) .
Məlumat üçün bildirək ki, konfrans “VESTEL” və “PELSAN” şirkətlərinin platin sponsorluğu ilə baş tutub.
